Alliance Memory lanza las nuevas Mobile CMOS DDR SDRAMs de baja potencia y alta velocidad con densidades de 256 MB, 512 MB, 1 GB y 2 GB

SAN CARLOS, Calif. — September 16, 2014 — Alliance Memory ha presentado hoy una nueva línea de DRAMs mobile CMOS DDR de alta velocidad (DDR SDRAM) diseñadas para aumentar la eficiencia y prolongar la vida útil de la batería en dispositivos portátiles compactos. Con un bajo consumo de energía de 1,7 V a 1,95 V y una serie de características de ahorro de energía, los dispositivos de 256 MB, 512 MB, 1 GB y 2 GB se ofrecen en encapsulados 8 mm por 9 mm 60-ball y de 8 mm por 13 mm 90-ball FPBGA.

Con cada nueva generación de productos, los diseñadores de dispositivos portátiles de hoy en día tienen la tarea de proporcionar una mayor funcionalidad en menos espacio con el uso de menos energía. Para satisfacer esta demanda, los dispositivos presentados cuentan ATCSR (Auto Temperature Compensated Self-Refresh) para minimizar el consumo de energía a temperaturas ambientales bajas. Además, su característica PASR (Partial Array Self-Refresh) reduce la potencia con sólo actualizar los datos críticos, mientras que el modo profundo de bajo consumo (DPD) proporciona un estado de potencia ultra-baja cuando no se requiere la retención de datos.

A medida que el número de proveedores de SDRAM DDR móviles continúa disminuyendo, Alliance Memory ofrece a los diseñadores una nueva fuente para sus necesidades de bajo consumo de energía. Las AS4C16M16MD1, AS4C32M16MD1, AS4C16M32MD1, AS4C64M16MD1, AS4C32M32MD1 y AS4C64M32MD1 de la empresa proporcionan drop-in fiable, repuestos compatibles pin-a-pin, para una serie de soluciones similares de gran ancho de banda y de aplicaciones de sistemas de alto rendimiento de memoria en electrónica de consumo portátil, equipos médicos y dispositivos de red.

Con su arquitectura de doble velocidad de datos, las SDRAM DDR móviles ofrecen funcionamiento a alta velocidad con velocidades de reloj de 166 MHz y 200 MHz. Para un funcionamiento óptimo en ambientes extremos, todos los dispositivos están disponibles en rangos de temperatura extendidos (-30°C a +85°C) e industrial (-40°C a +85°C). Los SDRAM DDR móviles ofrecen un funcionamiento totalmente sincrónico y proporcionan lectura programable o longitudes de ráfaga de escritura de 2, 4, 8, o 16. Una función de pre-carga ofrece una fila de precarga auto-programada iniciada al final de la secuencia de ráfaga. Funciones de actualización fáciles de usar incluyen auto o self-refresh. Compatible con RoHS, los dispositivos están libres de plomo (Pb) – y halógenos.

Referencia	Densidad	Configu- ración	Velocidad	Encap- sulado	Rango de temp.
AS4C16M16MD1-6BCN	256M	16M X 16 bit	166 MHz	60-ball FPBGA	-30 °C to +85 °C
AS4C16M16MD1-6BIN	256M	16M X 16 bit	166 MHz	60-ball FPBGA	-40 °C to +85 °C
AS4C32M16MD1-5BCN	512M	32M X 16 bit	200 MHz	60-ball FPBGA	-30 °C to +85 °C
AS4C32M16MD1-5BIN	512M	32M X 16 bit	200 MHz	60-ball FPBGA	-40 °C to +85 °C
AS4C16M32MD1-5BCN	512M	16M X 32 bit	200 MHz	90-ball FPBGA	-30 °C to +85 °C
AS4C16M32MD1-5BIN	512M	16M X 32 bit	200 MHz	90-ball FPBGA	-40 °C to +85 °C
AS4C64M16MD1-6BCN	1 Gb	64M X 16 bit	166 MHz	60-ball FPBGA	-30 °C to +85 °C
AS4C64M16MD1-6BIN	1 Gb	64M X 16 bit	166 MHz	60-ball FPBGA	-40 °C to +85 °C
AS4C32M32MD1-5BCN	1 Gb	32M X 32 bit	200 MHz	90-ball FPBGA	-30 °C to +85 °C
AS4C32M32MD1-5BIN	1 Gb	32M X 32 bit	200 MHz	90-ball FPBGA	-40 °C to +85 °C
AS4C64M32MD1-5BCN	2 Gb	64M X 32 bit	200 MHz	90-ball FPBGA	-30 °C to +85 °C
AS4C64M32MD1-5BIN	2 Gb	64M X 32 bit	200 MHz	90-ball FPBGA	-40 °C to +85 °C