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Alliance Memory

Manufacturer of Legacy Memory SRAM, DRAM, and Flash ICs

September 16, 2014

Alliance Memory lanza las nuevas Mobile CMOS DDR SDRAMs de baja potencia y alta velocidad con densidades de 256 MB, 512 MB, 1 GB y 2 GB

SAN CARLOS, Calif. — September 16, 2014 — Alliance Memory ha presentado hoy una nueva línea de DRAMs mobile CMOS DDR de alta velocidad (DDR SDRAM) diseñadas para aumentar la eficiencia y prolongar la vida útil de la batería en dispositivos portátiles compactos. Con un bajo consumo de energía de 1,7 V a 1,95 V y una serie de características de ahorro de energía, los dispositivos de 256 MB, 512 MB, 1 GB y 2 GB se ofrecen en encapsulados 8 mm por 9 mm 60-ball y de 8 mm por 13 mm 90-ball FPBGA.

Con cada nueva generación de productos, los diseñadores de dispositivos portátiles de hoy en día tienen la tarea de proporcionar una mayor funcionalidad en menos espacio con el uso de menos energía. Para satisfacer esta demanda, los dispositivos presentados cuentan ATCSR (Auto Temperature Compensated Self-Refresh) para minimizar el consumo de energía a temperaturas ambientales bajas. Además, su característica PASR (Partial Array Self-Refresh) reduce la potencia con sólo actualizar los datos críticos, mientras que el modo profundo de bajo consumo (DPD) proporciona un estado de potencia ultra-baja cuando no se requiere la retención de datos.

A medida que el número de proveedores de SDRAM DDR móviles continúa disminuyendo, Alliance Memory ofrece a los diseñadores una nueva fuente para sus necesidades de bajo consumo de energía. Las AS4C16M16MD1, AS4C32M16MD1, AS4C16M32MD1, AS4C64M16MD1, AS4C32M32MD1 y AS4C64M32MD1 de la empresa proporcionan drop-in fiable, repuestos compatibles pin-a-pin, para una serie de soluciones similares de gran ancho de banda y de aplicaciones de sistemas de alto rendimiento de memoria en electrónica de consumo portátil, equipos médicos y dispositivos de red.

Con su arquitectura de doble velocidad de datos, las SDRAM DDR móviles ofrecen funcionamiento a alta velocidad con velocidades de reloj de 166 MHz y 200 MHz. Para un funcionamiento óptimo en ambientes extremos, todos los dispositivos están disponibles en rangos de temperatura extendidos (-30°C a +85°C) e industrial (-40°C a +85°C). Los SDRAM DDR móviles ofrecen un funcionamiento totalmente sincrónico y proporcionan lectura programable o longitudes de ráfaga de escritura de 2, 4, 8, o 16. Una función de pre-carga ofrece una fila de precarga auto-programada iniciada al final de la secuencia de ráfaga. Funciones de actualización fáciles de usar incluyen auto o self-refresh. Compatible con RoHS, los dispositivos están libres de plomo (Pb) – y halógenos.

Referencia Densidad Configu-
ración
Velocidad Encap-
sulado
Rango de temp.
AS4C16M16MD1-6BCN 256M 16M X 16 bit 166 MHz 60-ball FPBGA -30 °C to +85 °C
AS4C16M16MD1-6BIN 256M 16M X 16 bit 166 MHz 60-ball FPBGA -40 °C to +85 °C
AS4C32M16MD1-5BCN 512M 32M X 16 bit 200 MHz 60-ball FPBGA -30 °C to +85 °C
AS4C32M16MD1-5BIN 512M 32M X 16 bit 200 MHz 60-ball FPBGA -40 °C to +85 °C
AS4C16M32MD1-5BCN 512M 16M X 32 bit 200 MHz 90-ball FPBGA -30 °C to +85 °C
AS4C16M32MD1-5BIN 512M 16M X 32 bit 200 MHz 90-ball FPBGA -40 °C to +85 °C
AS4C64M16MD1-6BCN 1 Gb 64M X 16 bit 166 MHz 60-ball FPBGA -30 °C to +85 °C
AS4C64M16MD1-6BIN 1 Gb 64M X 16 bit 166 MHz 60-ball FPBGA -40 °C to +85 °C
AS4C32M32MD1-5BCN 1 Gb 32M X 32 bit 200 MHz 90-ball FPBGA -30 °C to +85 °C
AS4C32M32MD1-5BIN 1 Gb 32M X 32 bit 200 MHz 90-ball FPBGA -40 °C to +85 °C
AS4C64M32MD1-5BCN 2 Gb 64M X 32 bit 200 MHz 90-ball FPBGA -30 °C to +85 °C
AS4C64M32MD1-5BIN 2 Gb 64M X 32 bit 200 MHz 90-ball FPBGA -40 °C to +85 °C

Las muestras de los nuevos SDRAM DDR móviles están disponibles ahora, con tiempos de entrega de seis a ocho semanas para cantidades de producción.

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Press Releases

Alliance Memory Expands eMMC Offering With New 32GB, 64GB, and 128GB Solutions; Simplifying Designs and Saving Space in Consumer, Industrial, and Networking Applications, Industrial-Grade Devices Feature TLC NAND Flash Technology for Increased Reliability

September 21, 2023

Alliance Memory Introduces New Line of 1.8V and 3.3V SLC Parallel NAND Flash Memory Solutions; Compliant With the ONFI 1.0 Specification, 1Gb to 8Gb AS9F Series Devices Deliver Fast Block Erase Times Down to 3 ms

July 27, 2023

Alliance Memory 2Gb, 4Gb, 8Gb, and 16Gb LPDDR4X SDRAMs Combine Low-Voltage Operation of 0.6V With Fast Clock Speeds to 1.86GHz; Solutions Offer ~50% Reduction in Power Consumption Compared to LPDDR4 Devices, Increasing Power Efficiency and Performance

July 18, 2023

Alliance Memory Signs Rep Agreement With Electra Sales to Support Customers in Upstate New York

July 13, 2023

Alliance Memory 16GB eMMC Solution Simplifies Designs and Saves Space in Consumer, Industrial, and Networking Applications; Compliant With JEDEC eMMC v5.1, Industrial-Grade Device Combines NAND Flash Memory With an eMMC Controller in a Single 153-Ball FBGA Package

July 6, 2023

Alliance Memory Further Bolsters Presence in Asia With Appointment of Kelly Chien as Country Manager for Taiwan

June 26, 2023

Alliance Memory Appoints Tanya Frew as Business Development Manager, Europe

June 20, 2023

Alliance Memory Bolsters Presence in Asia with Appointment of Linus Park as Country Manager for Korea

May 18, 2023

Alliance Memory Expands Lineup of CMOS DDR4 SDRAMs With New 16Gb Device; 1Gb x 16-bit DDR4 SDRAM Combines Low 1.2V Power Consumption With Fast Clock Speeds to 1600MHz and Transfer Rates to 3200 MT/s in 96-Ball FBGA Package

February 14, 2023

Alliance Memory Launches New LPSRAMs With Embedded Error-Correction Code; 1Mb and 4Mb Devices Boost Reliability Over Previous Generation Devices

January 25, 2023

Alliance Memory Expands Multiple I/O Serial NOR Flash Memory Series With New 1.8V, 128Mb Solutions; Supporting Single, Dual, and Quad SPI Modes, Devices Offer Fast Read Performance to 133MHz and Operate Over a Single 1.65V to 1.95V Power Supply

January 3, 2023

Alliance Memory Signs Rep Agreement With Eclipse Technologies to Support Customers in Wisconsin and Illinois

November 15, 2022

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